Tấm cacbua silicon Máy mài bề mặt đôi Dung dịch

Model máy: Máy mài đĩa đôi YHDM580B- Phương pháp mài theo chu kỳ

Phôi: Tấm cacbua silic (SiC)

Yêu cầu: 7.150±0.002mm,Độ phẳng/Song song＜0.01mm,Độ nhám Ra＜0.9

Silicon Carbide (SiC) là vật liệu vô cơ có các đặc tính cơ, nhiệt, điện và hóa học nên được sử dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp phát triển. Tuy nhiên, các đặc tính có lợi của gốm SiC như độ cứng cao, độ bền cao, khả năng chống mài mòn, độ giòn cực cao và độ ổn định hóa học khiến việc gia công SiC trở nên khó khăn và tốn kém thông qua các phương pháp gia công thông thường và không thông thường. Đá mài kim cương tạo ra MRR cao không ảnh hưởng đến hình thái và độ hoàn thiện bề mặt. Trong quá trình mài SiC, đặc tính vật liệu của bánh xe và phôi là yếu tố quan trọng để dự đoán độ nhám bề mặt. Trong máy mài điều khiển số được vi tính hóa bằng cách sử dụng các công cụ kim cương liên kết kim loại đã tạo ra mức độ hư hỏng thấp. Sự không đồng nhất về cấu trúc vi mô làm tăng đáng kể tốc độ khoan và mài của SiC. Sự gia tăng độ bền đứt gãy động dẫn đến MRR cao của SiC có bề mặt hoàn thiện tốt hơn đã đạt được trong quá trình mài tốc độ cao. Trong các phương pháp mài bằng cách áp dụng bánh xe mài mòn liên kết, độ nhám bề mặt thấp và độ chính xác hình dạng cao đạt được trên gương của SiC. Sự kết hợp giữa tốc độ phôi cao và tốc độ của bánh mài nâng cao có thể làm giảm sự biến đổi pha quan sát được trong quá trình mài trụ tốc độ cao.